SI3424CDV-T1-GE3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSI3424CDV-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI3424CDV-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 8 A Resistance Drain-Source RDS (on): 26 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Fall Time: 8 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 17 S Gate Charge Qg: 4.2 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3.6 W Rise Time: 12 ns Series: SI3424CDV Tradename: TrenchFET Typical Turn-Off Delay Time: 16 ns
-
Количество страниц11 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
25.05.2024
24.05.2024
22.05.2024